2004年4月全国高等教育自学考试电子技术基础一试题

04年4月电子技术基础一试题

　　课程代码：02234

　　一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）

　　在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。

　　1.在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（　）

　　A.本征半导体 B.温度

　　C.杂质浓度 D.掺杂工艺

　　2.理想二极管构成的电路如题2图所示，则（　）

　　A.V截止U0＝－10V

　　B.V截止U0＝－3V

　　C.V导通U0＝－10V

　　D.V导通U0＝－6V

　　3.某电路中晶体三极管的符号如题3图，测得各管脚电位标在图上，则该管处在（　）

　　A.放大状态

　　B.饱和状态

　　C.截止状态

　　D.状态不能确定

　　4.FET的转移特性如题4图所示，则该管为（　）

　　A.N沟道耗尽型

　　B.N沟道增强型

　　C.P沟道耗尽型

　　D.P沟道增强型

　　5.下列各组态放大电路中，若要求既有电压放大作用，又有电流放大作用，应选（　）

　　A.共射组态 B.共基组态

　　C.共集组态 D.共漏组态

　　6.某单级放大电路的通频带为 ，由这样两个单级放大电路构成的两级放大电路，其总的通频带 应是（　）

　　A. ＝2 B. >

　　C. >2 D.