薄膜生长技术是什么

一般来说，薄膜生长技术可以分为物理方法和化学方法。常见的薄膜生长技术包括热氧化、物理气相沉积和化学气相沉积。薄膜材料是指厚度从单原子到几毫米的薄金属或有机层。薄膜生长是半导体制造中的一个重要过程。

薄膜材料是指厚度从单原子到几毫米的薄金属或有机层。电子半导体功能器件和光学涂层是薄膜技术的主要应用。薄膜生长是半导体制造中的一个重要过程。一般来说，薄膜生长技术可以分为物理方法和化学方法。常见的薄膜生长技术包括热氧化、物理气相沉积和化学气相沉积。

简介

在集成电路的制造过程中，需要在晶片表面生长几种不同材料和厚度的薄膜，包括导电膜和绝缘膜。这些薄膜的制备对于集成电路的制造非常重要。薄膜生长技术，也可以称为制膜方法，在不同的位置有许多不同的功能和不同的生长技术，如热氧化、化学气相沉积和物理气相沉积。

热氧化作用

氧化永远是物质和氧气发生化学反应形成氧化物的方法。生长二氧化硅的方法有很多，如热氧化、热分解沉淀、蒸发等。由于热氧法氧化反应发生在硅和二氧化硅的界面上，接触的杂质少，二氧化硅氧化膜质量高，所以在集成电路中通常采用热氧法形成氧化膜。热氧化是指晶片与含氧物质(氧气、水等)反应的方法。)在高温下形成二氧化硅薄膜。根据氧化剂的不同，热氧化主要分为三种:干氧氧化、水蒸气氧化和湿氧氧化，其中干氧氧化和湿氧氧化是最常用的方法。干氧氧化法使用纯氧作为氧化剂，生长的氧化膜表面干燥，结构致密，光刻时与光刻胶接触良好，但氧化速度较慢。湿氧氧化法的氧化剂是高纯水的氧气，既含氧气又含水蒸气，氧化速度快，但生成的氧化膜质量不如干氧氧化法。在实际的形成过程中，通常采用干-湿-干氧化。

物理气相沉积

物理气相沉积(PVD)是一种工业制造工艺，主要使用物理工艺沉积薄膜，即true 空镀膜(气相沉积)，主要用于钣金零件、蚀刻零件、挤压零件、金属注射成型(MIM)、粉末注射成型(PIM)、机械加工零件和焊接零件的工艺。

与化学气相沉积相比，物理气相沉积具有广泛的应用。几乎所有的材料薄膜都可以通过物理气相沉积来制备，但是薄膜厚度的均匀性是物理气相沉积中的一个问题。主要的物理气相沉积方法有热蒸发、溅射和脉冲激光沉积。溅射，也称为溅射沉积/涂层，是一种物理气相沉积技术，指固体靶& # 8221；目标& # 8221；(或来源& # 8221；来源& # 8221；)原子受到高能离子(通常来自等离子体)的冲击，离开固体进入气体。溅射一般是在充满惰性气体的真空空系统中进行。在高压电场的作用下，氩被电离产生氩离子流，轰击靶阴极。溅射的靶材料原子或分子沉淀并聚集在半导体芯片或玻璃和陶瓷上形成薄膜。

脉冲激光沉积(PLD)，也称为脉冲激光沉积(PLA)，是一种物理气相沉积(PVD)。用聚焦的高功率脉冲激光轰击真空腔中的靶。由于强激光能量，靶将蒸发形成等离子体羽流，等离子体羽流沉积在衬底上形成薄膜。

镀膜可以在高真空空、超高真空空或通入工作气体(如果要沉积氧化膜，通常通入氧气作为其工作气体)的环境下进行。

在脉冲激光沉积过程中，激光能量被靶材吸收后，首先激发靶材内部的电子跃迁，然后转化为热能使靶材汽化形成等离子体状态，等离子体状态包含等离子体云中的分子、原子、电子、离子、粒子、熔化球等物质。