1.中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏 无锡 214035。基于TSMC 0.18 µm标准CMOS工艺，提出了一种新型无电阻低温漂电压基准源。通过采用CMOS阈值电压（Vth）和与温度成正比的电压（VPTAT）作为基础线性温度单元加权求和的方式，消除了电压基准源输出中残留的非线性温度分量，最终得到高精度的电压基准输出。其中CMOS阈值电压由无电阻结构产生，VPTAT的产生和与CMOS阈值电压的加权求和由非对称差分运放完成。实测结果证明，在-55 ℃~125 ℃温度范围内，电压基准源输出为1.23 V，温度系数为4.5 ppm/℃。在无滤波电容的情况下，基准电源抑制比可达-93 dB。电压基准源作为一个基础单元模块被广泛应用于诸如数据传输、随机存储器和射频电路等电子系统。高精度的电压基准源应具有与工艺无关的低温度和低电源电压敏感性，其输出电压精度将限制所在系统的性能上限，因此研究如何设计高精度电压基准源具有重要意义[1-4]。传统电压基准源基于三极管带隙电压进行设计，采取一阶补偿方案，输出为三极管基极与发射极间压差（VBE）和热电压（VT）的加权和。由于VBE的展开式中存在温度的非线性高阶分量，因此传统电压基准源如需提升输出精度则需采取高阶曲率补偿方案。针对一阶补偿因固有缺陷所导致基准输出电压精度受限问题，业内提出了电阻温度系数补偿、亚阈值区MOS补偿、指数型电流补偿和分段线性曲率补偿等高阶温度补偿方案，但综合考虑功耗、面积、噪声、模型精度、良率和工艺兼容性等问题上述方案应用场景受限[5-7]。
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基于CMOS阈值电压设计的电压基准源
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